TSM120N10PQ56 RLG
Hersteller Produktnummer:

TSM120N10PQ56 RLG

Product Overview

Hersteller:

Taiwan Semiconductor Corporation

Teilenummer:

TSM120N10PQ56 RLG-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)

Inventar:

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TSM120N10PQ56 RLG Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3902 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
36W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM120N10PQ56 RLGCT-DG
TSM120N10PQ56RLGDKR
TSM120N10PQ56 RLGDKR-DG
TSM120N10PQ56RLGCT
TSM120N10PQ56 RLGTR
TSM120N10PQ56 RLGDKR
TSM120N10PQ56RLGTR
TSM120N10PQ56 RLGCT
TSM120N10PQ56 RLGTR-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
TSM160N10LCR RLG
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
10887
TEILNUMMER
TSM160N10LCR RLG-DG
Einheitspreis
0.64
ERSATZART
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